1925

FDS6670A, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 30 В, 8 мОм, 10 В, 1.8 В

Поставка электронных компонентов в Иркутск

85,00 руб.

x 85,00 = 85,00
Артикул: 1133962 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней85,00руб.79,05руб.76,50руб.74,80руб.69,70руб.68,00руб.66,30руб.61,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней153,85руб.141,10руб.138,55руб.135,15руб.125,80руб.123,25руб.119,85руб.107,95руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней198,90руб.183,60руб.179,35руб.175,10руб.163,20руб.158,95руб.155,55руб.139,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней102,00руб.93,50руб.91,80руб.89,25руб.83,30руб.81,60руб.79,05руб.71,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней196,35руб.181,05руб.176,80руб.172,55руб.167,45руб.161,50руб.153,00руб.137,70руб.

Характеристики

FDS6670A, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 30 В, 8 мОм, 10 В, 1.8 ВThe FDS6670A is a single N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

13А