75

2N5210BU, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 30 МГц, 625 мВт

Поставка электронных компонентов в Иркутск

16,00 руб.

x 16,00 = 16,00
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней16,00руб.14,88руб.14,40руб.14,08руб.13,12руб.12,80руб.12,48руб.11,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней28,96руб.26,56руб.26,08руб.25,44руб.23,68руб.23,20руб.22,56руб.20,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней37,44руб.34,56руб.33,76руб.32,96руб.30,72руб.29,92руб.29,28руб.26,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней19,20руб.17,60руб.17,28руб.16,80руб.15,68руб.15,36руб.14,88руб.13,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней36,96руб.34,08руб.33,28руб.32,48руб.31,52руб.30,40руб.28,80руб.25,92руб.

Характеристики

2N5210BU, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 30 МГц, 625 мВт The 2N5210BU is a NPN Bipolar Transistor designed for low noise, high gain and general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50mA.

• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Дополнительная информация

Корпус

to92

Структура

npn

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

200

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.625