103

2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]

Поставка электронных компонентов в Иркутск

5,00 руб.

x 5,00 = 5,00
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней5,00руб.4,65руб.4,50руб.4,40руб.4,10руб.4,00руб.3,90руб.3,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней9,05руб.8,30руб.8,15руб.7,95руб.7,40руб.7,25руб.7,05руб.6,35руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней11,70руб.10,80руб.10,55руб.10,30руб.9,60руб.9,35руб.9,15руб.8,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней6,00руб.5,50руб.5,40руб.5,25руб.4,90руб.4,80руб.4,65руб.4,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней11,55руб.10,65руб.10,40руб.10,15руб.9,85руб.9,50руб.9,00руб.8,10руб.

Характеристики

2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92] High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings — Polypropylene

Дополнительная информация

Корпус

to-92

Структура

npn

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.5

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

20

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.625