BC81716MTF, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц

Поставка электронных компонентов в Иркутск

18,00 руб.

Артикул: 1124812 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	18,00руб.	16,74руб.	16,20руб.	15,84руб.	14,76руб.	14,40руб.	14,04руб.	12,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	32,58руб.	29,88руб.	29,34руб.	28,62руб.	26,64руб.	26,10руб.	25,38руб.	22,86руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	42,12руб.	38,88руб.	37,98руб.	37,08руб.	34,56руб.	33,66руб.	32,94руб.	29,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	21,60руб.	19,80руб.	19,44руб.	18,90руб.	17,64руб.	17,28руб.	16,74руб.	15,12руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	41,58руб.	38,34руб.	37,44руб.	36,54руб.	35,46руб.	34,20руб.	32,40руб.	29,16руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BC81716MTF, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц The BC81725 is an NPN Epitaxial Silicon Transistor Suitable for AF-Driver stages and low power output stages and complements to BC807/BC808 series transistors. It is suitable for switching and amplifier applications.

Дополнительная информация

Корпус	sot23
Структура	npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.31