39

BFR193, NPN биполярный транзистор, высокочастотный, [SOT-23]

Поставка электронных компонентов в Иркутск

8,00 руб.

x 8,00 = 8,00
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней8,00руб.7,44руб.7,20руб.7,04руб.6,56руб.6,40руб.6,24руб.5,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней14,48руб.13,28руб.13,04руб.12,72руб.11,84руб.11,60руб.11,28руб.10,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней18,72руб.17,28руб.16,88руб.16,48руб.15,36руб.14,96руб.14,64руб.13,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней9,60руб.8,80руб.8,64руб.8,40руб.7,84руб.7,68руб.7,44руб.6,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней18,48руб.17,04руб.16,64руб.16,24руб.15,76руб.15,20руб.14,40руб.12,96руб.

Характеристики

BFR193, NPN биполярный транзистор, высокочастотный, [SOT-23]The BFR 193 E6327 is a NPN low-noise silicon Bipolar RF Transistor for low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz. The device is suitable for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM and RF modems.

Дополнительная информация

Корпус

sot23

Структура

npn

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.08

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

50

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.58