bsm50gd120dn2e3224

BSM50GD120DN2E3226

Поставка электронных компонентов в Иркутск

11.500,00 руб.

x 11.500,00 = 11.500,00
Артикул: 1065063 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней11.500,00руб.10.695,00руб.10.120,00руб.9.775,00руб.9.430,00руб.9.257,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней12.995,00руб.11.730,00руб.11.500,00руб.11.040,00руб.10.695,00руб.10.465,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней14.030,00руб.12.650,00руб.12.305,00руб.11.960,00руб.11.270,00руб.10.580,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней13.685,00руб.12.305,00руб.12.075,00руб.11.615,00руб.11.155,00руб.10.522,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней19.550,00руб.17.595,00руб.17.250,00руб.16.560,00руб.15.985,00руб.14.605,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней19.435,00руб.17.480,00руб.17.112,00руб.16.445,00руб.15.870,00руб.14.490,00руб.

Характеристики

BSM50GD120DN2E3226

Дополнительная информация

Бренд

Infineon
Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—