1925

FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом

Поставка электронных компонентов в Иркутск

68,00 руб.

x 68,00 = 68,00
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней68,00руб.63,24руб.61,20руб.59,84руб.55,76руб.54,40руб.53,04руб.48,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней123,08руб.112,88руб.110,84руб.108,12руб.100,64руб.98,60руб.95,88руб.86,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней159,12руб.146,88руб.143,48руб.140,08руб.130,56руб.127,16руб.124,44руб.111,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней81,60руб.74,80руб.73,44руб.71,40руб.66,64руб.65,28руб.63,24руб.57,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней157,08руб.144,84руб.141,44руб.138,04руб.133,96руб.129,20руб.122,40руб.110,16руб.

Характеристики

FDS6675BZ, МОП-транзистор, P Канал, 11 А, -30 В, 0.0108 Ом The FDS6675BZ is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild’s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating — MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Extended VGSS range (-25V) for battery applications
• HBM ESD protection level of ±5.4kV typical
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• High power and current handling capability

Дополнительная информация

Корпус

so8

Структура

P Канал

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

11