2113843-1_500

Силовой модуль IGBT FP25R12KE3BOSA1

Поставка электронных компонентов в Иркутск

6.500,00 руб.

x 6.500,00 = 6.500,00
Артикул: 1085824 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней6.500,00руб.6.045,00руб.5.720,00руб.5.525,00руб.5.330,00руб.5.232,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней7.345,00руб.6.630,00руб.6.500,00руб.6.240,00руб.6.045,00руб.5.915,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней7.930,00руб.7.150,00руб.6.955,00руб.6.760,00руб.6.370,00руб.5.980,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней7.735,00руб.6.955,00руб.6.825,00руб.6.565,00руб.6.305,00руб.5.947,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней11.050,00руб.9.945,00руб.9.750,00руб.9.360,00руб.9.035,00руб.8.255,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней10.985,00руб.9.880,00руб.9.672,00руб.9.295,00руб.8.970,00руб.8.190,00руб.

Характеристики

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
Максимальная рабочая температура +125 °C
Длина 107.5мм
Transistor Configuration Трехфазные
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 40 A
Тип корпуса EconoPIM2
Максимальное рассеяние мощности 150 Вт
Тип монтажа Монтаж на печатную плату
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 45мм
Высота 17мм
Число контактов 24
Размеры 107.5 x 45 x 17мм
Конфигурация 3-фазный мост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Вес, г 209.9

Дополнительная информация

Бренд

Infineon