FUJI-IGBT-PIM-MODULE-7MBR100U4B120-50-7MBR100U4B120

Модуль силовой 7MBR50VB120A-70 / 7MBR50VB120-50

Поставка электронных компонентов в Иркутск

11.000,00 руб.

x 11.000,00 = 11.000,00
Артикул: 1122537 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней11.000,00руб.10.230,00руб.9.680,00руб.9.350,00руб.9.020,00руб.8.855,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней12.430,00руб.11.220,00руб.11.000,00руб.10.560,00руб.10.230,00руб.10.010,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней13.420,00руб.12.100,00руб.11.770,00руб.11.440,00руб.10.780,00руб.10.120,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней13.090,00руб.11.770,00руб.11.550,00руб.11.110,00руб.10.670,00руб.10.065,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней18.700,00руб.16.830,00руб.16.500,00руб.15.840,00руб.15.290,00руб.13.970,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней18.590,00руб.16.720,00руб.16.368,00руб.15.730,00руб.15.180,00руб.13.860,00руб.

Характеристики

7MBR50VB-120-50 характеристики

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module.

 

SVHC (Особо Опасные Вещества) To Be Advised
Вес 0.3кг
Количество Выводов 24вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Стиль Корпуса Транзистора Module
Рассеиваемая Мощность 280Вт
Полярность Транзистора N Канал
DC Ток Коллектора 50А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ