2011040849

SKM100GB12T4, GB, Биполярный транзистор IGBT

Поставка электронных компонентов в Иркутск

4.800,00 руб.

x 4.800,00 = 4.800,00
Артикул: 1065885 Категория:
Сроки поставки выбранного компонента в Иркутск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней4.800,00руб.4.464,00руб.4.224,00руб.4.080,00руб.3.936,00руб.3.864,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней5.424,00руб.4.896,00руб.4.800,00руб.4.608,00руб.4.464,00руб.4.368,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней5.856,00руб.5.280,00руб.5.136,00руб.4.992,00руб.4.704,00руб.4.416,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней5.712,00руб.5.136,00руб.5.040,00руб.4.848,00руб.4.656,00руб.4.392,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней8.160,00руб.7.344,00руб.7.200,00руб.6.912,00руб.6.672,00руб.6.096,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней8.112,00руб.7.296,00руб.7.142,40руб.6.864,00руб.6.624,00руб.6.048,00руб.

Характеристики

SKM100GB12T4, GB, Биполярный транзистор IGBT

Дополнительная информация

Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—