3

Транзистор BLF642

5.300,00 руб.

x 5.300,00 = 5.300,00
Артикул: 1165341 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней5.300,00руб.4.929,00руб.4.664,00руб.4.505,00руб.4.346,00руб.4.266,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней5.989,00руб.5.406,00руб.5.300,00руб.5.088,00руб.4.929,00руб.4.823,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней6.466,00руб.5.830,00руб.5.671,00руб.5.512,00руб.5.194,00руб.4.876,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней6.307,00руб.5.671,00руб.5.565,00руб.5.353,00руб.5.141,00руб.4.849,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней9.010,00руб.8.109,00руб.7.950,00руб.7.632,00руб.7.367,00руб.6.731,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней8.957,00руб.8.056,00руб.7.886,40руб.7.579,00руб.7.314,00руб.6.678,00руб.

Характеристики

Manufacturer NXP
Product Category RF MOSFET Transistors
RoHS Details
Id — Continuous Drain Current 200 mA
Vds — Drain-Source Breakdown Voltage 65 V
Rds On — Drain-Source Resistance 300 mOhms
Transistor Polarity N-Channel
Frequency 1.3 GHz
Vgs — Gate-Source Breakdown Voltage 11 V
Gain 19 dB
Output Power 35 W
Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style SMDSMT
Package Case SOT-467C-3
Packaging Tube
Brand NXP Semiconductors
Factory Pack Quantity 60
Vgs th — Gate-Source Threshold Voltage 1.9 V
Year of manufacture 2015