Расширение ассортимента SiC MOSFET Gen3 за счет охлаждения сверху и изолированного теплового тракта

Компания SemiQ Inc. расширила ассортимент своих SiC MOSFET Gen3, выпустив серию в корпусе TSPAK на 1200 В. Четырехкомпонентная серия Gen3 MOSFET обеспечивает непрерывные токи стока от 27 А до 101 А и импульсные токи стока от 70 А до 350 А, при этом сопротивления устройств (RDSon) находятся в диапазоне от 80 мОм до 16 мОм соответственно.

Все устройства работоспособны при температуре до 175 °C и прошли испытания при напряжении более 1400 В, пройдя испытания на отказ на уровне пластины (WLBI) и испытания на лавинный пробой UIL до 800 мДж (RDSon = 16 мОм, 160 мДж для устройства 80 мОм).

Устройства, которые легко подключать параллельно, реализуют охлаждение верхней стороны и изолированный тепловой путь с керамической изолированной задней лопаткой. Пакет включает в себя кельвин-контакт источника драйвера для управления затвором и пин затвора, пять истоковых контактов и дренажную вкладку.

MOSFET TSPAK обеспечивают меньшую емкость, меньшие потери переключения, большее расстояние зазора и более высокую общую эффективность системы. Компания нацеливает эти устройства на ряд промышленных и электромобильных приложений, включая солнечные инверторы и накопители энергии, индукционный нагрев и сварку, зарядные станции электромобилей и бортовые зарядные устройства, приводы двигателей, высоковольтные DC-DC-преобразователи и ИБП/ИБП.

Доктор Тимоти Хан, президент компании SemiQ, отметил: «Выпуск семейства SiC MOSFET TSPAK Gen3 позволяет создавать источники питания с более высокой плотностью мощности при более низкой стоимости системы, а также более компактные конструкции систем в больших масштабах».

Все устройства серии размещены в корпусе TSPAK размером 18,6 мм x 14 мм x 3,5 мм, имеют ток стока при нулевом напряжении затвора 0,1 мкА, ток утечки затвор-исток -10/10 нА и пороговое напряжение затвора 3,5 В (приведенные характеристики измерены при 25 °C). Серия доступна немедленно.

Длительность цикла серии составляет от 49 нс (80 мОм МОП-транзистор) до 114 нс (16 мОм), а общая энергия переключения устройств составляет от 153 мкДж (80 мОм МОП-транзистор) до 1565 мкДж (16 мОм). Основные характеристики приведены в таблице ниже – все указанные характеристики были измерены при температуре 25 °C.